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【桂工讲坛第660讲】国家千人计划入选者、教育部长江学者刘俊杰教授学术报告

来源:信息科学与工程学院    作者:信息科学与工程学院    发布时间:2017-10-11 08:06:21    浏览次数:

 

题目:

Outlook and Challenges of Electrostatic Discharge (ESD) Protection of Modern and Future Integrated Circuits

主讲人:刘俊杰教授

时 间:2017年10月11日(星期三)上午10:30-11:30

地 点:雁山校区教二栋02507

主办单位:信息科学与工程学院

欢迎广大师生前往参加!

刘俊杰教授简介

刘俊杰教授于1987年获得美国佛罗里达大学电子工程专业博士学位。曾任职于美国中佛罗里达大学电子工程系,为学校最高荣誉的飞马杰出教授。他长期致力于半导体器件建模和集成电路静电保护(Electro-Static Discharge: ESD)的研究,目前是IEEE院士,IET院士,新加坡制造技术研究院院士,美国纽约科学院院士,美国国家创新学院院士,IEEE EDS副主席,国际上静电防护(ESD)领域的权威。

国家千人计划专家、教育部长江学者讲座教授、教育部海外名师

权威期刊Microelectronics Reliability主编,IEEE Simulation Journal副主编,IEEE Proceeding、IEEE Electron Device Letter等期刊编辑。

获得了IEEE杰出工程奖、IEEE杰出教育奖、IEEE杰出讲座,美国政府杰出青年科学家奖,入选中国10位杰出千人计划专家。

发表期刊论文超过290篇(邀请论文23篇)、会议论文超过240篇(邀请报告和邀请论文超过100篇),专著13本。所发表的论文中,70%的刊物论文发表在本领域排名前三的权威期刊(IEEE Proceeding、IEEE Transactions on Electron Devices和IEEE Electron Device Letter),SCI收录360余篇, SCI他引5200次,h-index=35。

在中国三个高校成立了第一批ESD实验室,为中国在ESD的学科教育,科研成果,与技术开发做出重大的贡献。

参与了超过了50个国际会议,是许多会议的荣誉大会主席。

代表性成果:

设计出了世界上ESD防护级别最高的芯片,超过HBM 17000 V;

为Intel公司设计了世界上第一个CPU内低压CMOS制程ESD电路;

为Analog Devices公司设计了在汽车电子内高压BCD制程的最先进ESD电路;

第一个成功的设计出在纳米线,GaN,和organic制程的ESD方案;

建立和开发了世界上第一个精确ESD器件仿真宏模型和仿真技术;

   13项静电防护设计的专利,提供了许多突破ESD技术瓶颈的方案。